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中微公司在投資者互動(dòng)平臺(tái)上披露，已在高帶寬內(nèi)存HBM及先進(jìn)封裝領(lǐng)域進(jìn)行了全面布局。
中微公司董秘表示，公司在先進(jìn)封裝，特別是HBM工藝相關(guān)的制程設(shè)備方面，產(chǎn)品線(xiàn)已涵蓋了刻蝕、CVD（化學(xué)氣相沉積）、PVD（物理氣相沉積）以及晶圓量測(cè)檢測(cè)設(shè)備。值得關(guān)注的是，中微公司已正式發(fā)布了其CCP刻蝕系統(tǒng)以及核心的TSV（硅通孔）深硅通孔設(shè)備。這意味著中微正積極推動(dòng)其產(chǎn)品在高性能AI芯片封裝等新興應(yīng)用場(chǎng)景中的應(yīng)用和落地。
面對(duì)投資者關(guān)于是否專(zhuān)門(mén)研發(fā)HBM相關(guān)設(shè)備的疑問(wèn)，中微公司強(qiáng)調(diào)其在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的設(shè)備覆蓋廣泛，能夠滿(mǎn)足HBM制程所需的核心設(shè)備類(lèi)型。尤其在TSV深孔蝕刻技術(shù)上，中微通過(guò)自主研發(fā)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破，已具備支撐量產(chǎn)需求的能力，有望在HBM產(chǎn)業(yè)鏈中發(fā)揮關(guān)鍵作用。
