碳化硅 (SiC) 供應鏈正步入一個分階段的市場，SiC 原材料價格上漲，而 6 英寸器件襯底則面臨巨大的價格壓力。對于電源和汽車設計人員而言，這種分化可能會重塑器件成本結構，而此時 SiC 正被廣泛應用于人工智能加速器和高性能計算平臺。

據(jù)TrendForce援引的市場數(shù)據(jù)顯示，包括黑色和綠色等級在內的散裝碳化硅粉末和顆粒的價格持續(xù)上漲。近期交易價格約為每噸6271元人民幣，環(huán)比上漲約0.21%。價格上漲的原因在于原料成本堅挺、下游需求擴大以及與環(huán)保檢查和產(chǎn)能限制相關的供應調整，這些因素共同推高了分銷環(huán)節(jié)的成本。

相比之下，用于功率器件的6英寸碳化硅（SiC）晶圓襯底市場則陷入了一場所謂的“價格戰(zhàn)”。全球主要供應商的產(chǎn)能快速擴張導致供應過剩，據(jù)報道，從2024年年中到第四季度，晶圓價格將跌破每片500美元，降幅超過20%。預計到2025年，主流報價將徘徊在每片400美元或更低，部分供應商甚至會以接近成本的價格出售，這可能會加速襯底生產(chǎn)商之間的整合。

除了電力電子領域，碳化硅（SiC）作為人工智能和高性能計算（HPC）平臺的熱管理材料，其地位日益凸顯。隨著GPU功率密度的不斷攀升，傳統(tǒng)的散熱解決方案已難以滿足需求，而導熱系數(shù)高達500瓦/米開爾文的碳化硅正逐漸成為散熱和載流子結構的理想材料。

TrendForce報告稱，NVIDIA預計將于2025年左右在其Rubin AI平臺中引入SiC技術，并采用臺積電的CoWoS先進封裝技術，以SiC取代傳統(tǒng)的硅中介層，從而更好地應對高熱負荷。與此同時，臺積電正與供應商合作開發(fā)12英寸單晶SiC載板，以取代高性能計算（HPC）系統(tǒng)中的傳統(tǒng)陶瓷載板。中國供應商SICC已開始提供全系列12英寸SiC基板樣品，以滿足市場需求。

隨著大型數(shù)據(jù)中心向 800V 高壓直流架構轉型，碳化硅 (SiC) 功率器件有望在系統(tǒng)層面實現(xiàn)更高的效率和更低的損耗。同時，SiC 的高折射率（約為 2.6 至 2.7）正被評估用于增強現(xiàn)實 (AR)、混合現(xiàn)實 (MR) 和虛擬現(xiàn)實 (VR) 光學器件，與傳統(tǒng)玻璃相比，它有望實現(xiàn)更薄的光學器件和更寬的視場角。

如果碳化硅原材料價格持續(xù)上漲，而6英寸襯底的價格仍面臨壓力，歐洲集成器件制造商（IDM）和模塊制造商或許能抓住機會，鎖定更具競爭力的晶圓合同，尤其是在汽車級生產(chǎn)線方面。與此同時，任何向12英寸碳化硅載片和人工智能加速器先進封裝結構轉型的趨勢，都可能將工藝技術和投資進一步推向價值鏈上游，從而為歐洲封裝和材料專家?guī)頋撛诘囊绯鲂?/p>

短期來看，對于工程師和采購團隊而言，碳化硅不再僅僅是高壓功率器件的寬禁帶材料選擇。它正日益成為人工智能熱管理和先進光學領域的戰(zhàn)略材料，同時，其成本結構也正受到碳化硅原材料價格和襯底價格競爭的雙重影響。