【2025年12月3日, 德國慕尼黑訊】美國國際貿易委員會（ITC）裁定英諾賽科侵犯了英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）擁有的一項氮化鎵（GaN）技術專利。此外，在初步裁定中，美國國際貿易委員會確認，英飛凌在向該委員會提起的訴訟中所主張的兩項專利皆具有法律效力。本案的核心在于英諾賽科未經授權使用英飛凌受專利保護的GaN技術。委員會最終裁決預計將于2026年4月2日發布，若這項初步裁決最終獲得確認，將導致英諾賽科涉嫌侵權的產品被禁止進口至美國。

英飛凌科技高級副總裁、氮化鎵業務線負責人Johannes Schoiswohl表示：“此次裁決再次印證了英飛凌知識產權的強大實力，也彰顯了我們堅決捍衛專利組合、維護市場公平競爭的決心。我們將持續致力于推動創新與半導體技術進步，以應對全球最緊迫的挑戰，推動從低碳化到數字化的轉型。”

該裁決是又一項具有正面意義的結果，彰顯了英飛凌對氮化鎵技術所作貢獻的價值。在德國并行的另一項相關訴訟中，德國專利局近期確認了英飛凌一項專利的有效性，并以略作修正的形式維持該專利。英飛凌正在慕尼黑地方法院對該專利提出侵權訴訟。早在2025年8月，慕尼黑第一地區法院（Landgericht München I）已裁定英諾賽科侵犯了英飛凌的另一項專利。

英飛凌在氮化鎵市場是領先垂直整合制造商（IDM），擁有行業內最廣泛的知識產權組合，涵蓋約450個氮化鎵專利家族。氮化鎵在實現高性能、高能效的功率系統中起著關鍵作用，其應用范圍覆蓋可再生能源系統、人工智能數據中心、工業自動化以及電動汽車（EV）等領域。憑借更高的功率密度、更快的開關速度以及更低的能耗，氮化鎵半導體能支持更緊湊的設計，有效降低能耗和減少熱量產生。作為功率系統的領導者，英飛凌在硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）這三種關鍵半導體材料領域都處于行業領先地位，并持續推動技術進步。